Beschreibung
InhaltsangabeVerwendete Symbole.- 1 Verhalten passiver Bauelemente bei hohen Frequenzen.- 1.1 Einfuhrung.- 1.1.1 Konzentrierte Schaltelemente (Elementarzweipole).- 1.1.2 Das ideale, passive Bauelement.- 1.1.2.1 Eigenschaften des ohmschen Elementarzweipoles.- 1.1.2.2 Eigenschaften des induktiven Elementarzweipoles.- 1.1.2.3 Eigenschaften des kapazitiven Elementarzweipoles.- 1.1.2.4 Eigenschaften idealer Stromversorgungen.- 1.1.3 Reale, passive Bauelemente.- 1.2 Eigenschaften realer, passiver Bauelemente.- 1.2.1 Ohmsche Widerstände.- 1.2.1.1 Rauschen ohmscher Widerstände.- 1.2.1.2 Der Skineffekt (auch Hauteffekt genannt).- 1.2.1.3 Ersatzschaltbilder und Eigenschaften von ohmschen Widerständen bei hohen Frequenzen.- 1.2.2 Kondensatoren.- 1.2.2.1 Der ideale, kapazitive Widerstand.- 1.2.2.2 Der reale, kapazitive Widerstand (verlustbehaftet).- 1.2.2.3 Kondensatoren und ihre Einsatzbereiche.- 1.2.3 Spulen (Induktivitäten).- 1.2.3.1 Der ideale, induktive Widerstand.- 1.2.3.2 Der reale, induktive Widerstand (verlustbehaftet).- 1.3 Einige Bemerkungen zur SMD-Technik.- 1.4 Übungen.- 2 Passive Eintore (Zweipolnetzwerke).- 2.1 Einleitung.- 2.2 Einkreisige LC - Filter.- 2.2.1 Der Reihenschwingkreis.- 2.2.1.1 Grundformeln.- 2.2.1.2 Bestimmung der Bandbreite des Schwingkreises.- 2.2.1.3 Berechnung der Spannungen an den Schaltelementen.- 2.2.1.4 Anschluß von Generator und Last an den Reihenschwingkreis.- 2.2.1.5 Berechnung der Pol-Nullstellenverteilung.- 2.2.2 Der Parallelschwingkreis.- 2.2.2.1 Grundformeln.- 2.2.2.2 Berechnung der Ströme in den einzelnen Schaltelementen.- 2.2.2.3. Anschluß von Generator und Last an den Parallelschwingkreis.- 2.2.2.4 Berechnung der Pol-Nullstellenverteilung.- 2.3 Zusammenfassung Schwingkreise.- 2.4 Übungen.- 3 Zweitore (Vierpole).- 3.1 Vierpolparameter.- 3.1.1 Hybridparameter oder h-Parameter.- 3.1.2 Leitwertparameter oder y-Parameter.- 3.1.3 Streuparameter oder s-Parameter.- 3.2 Vierpolbetriebsgrößen.- 3.2.1 Allgemeingültige Festlegungen.- 3.2.2 Berechnung der Vierpolbetriebsgrößen mittels h-Parameter.- 3.2.3 Berechnung der Vierpolbetriebsgrößen mittels y-Parameter.- 3.2.4 Berechnung der Verstärkung mittels s-Parameter.- 3.3 Die Übertragungsfunktion.- 3.4 Selektive Netzwerke.- 3.4.1 Tiefpässe (TP).- 3.4.1.1 TP-1. Grades, unbelastet (1 Blindelement).- 3.4.1.4 TP-2. Grades, unbelastet, nicht entkoppelt (2 Blindelemente).- 3.4.1.3 TP-2. Grades, unbelastet, entkoppelt (2 Blindelemente).- 3.4.1.4 Bestimmung der Flankensteilheit der drei Varianten.- 3.4.2 Hochpässe (HP).- 3.4.2.1 HP-1. Grades, unbelastet (1 Blindelement).- 3.4.2.2 HP-2. Grades, unbelastet, entkoppelt (2 Blindelemente).- 3.4.3 Verallgemeinerung auf unbelastete, entkoppelte Filter n. Grades.- 3.4.4 Bandpässe.- 3.4.4.1 Der RLC-Bandpaß.- 3.4.4.2 Der RC-Bandpaß (Wien-Glied).- 3.4.5 Bandsperren.- 3.4.5.1 Die RLC-Bandsperre.- 3.4.6 Das zweikreisige Bandfilter.- 3.4.6.1 Ermittlung des normierten Amplituden-Frequenzgangs.- 3.4.6.2 Bestimmung der Welligkeit.- 3.4.6.3 Bestimmung der Bandbreite als Funktion der normierten Kopplung.- 3.4.6.4 Normierung der Bandbreite des Bandfilters auf die der Einzelkreise.- 3.5 Phasenlaufzeit und Gruppenlaufzeit von Vierpolen.- 3.6 Übungen.- 4 Leitungsanpassung.- 4.1 Breitbandige Impedanzanpassung mit Widerstandsnetzwerken aus ohmschen Widerständen.- 4.1.1 Widerstandszuschaltung.- 4.1.2 L-Glied-Schaltungen (ZG Zv).- 4.1.4 T-Glied-Schaltungen.- 4.1.5 p-Glied-Schaltungen.- 4.2 Schmalbandtransformatoren.- 4.2.1 Collinsfilter.- 4.2.2 Resonanztransformator anderer Bauform.- 4.3 Breitbandtransformatoren.- 4.3.1 50?-Technik.- 4.3.2 Übertrager.- 4.3.2.1 Der Impulsübertrager.- 4.3.2.2 Der Ringkerntransformator.- 4.4 Übungen.- 5Kleinsignalverhalten von Transistoren in Emitterschaltung.- 5.1 NF-Anwendungen (h-Parameter).- 5.1.1 Kennlinienfeld in Emitterschaltung.- 5.1.2 Statische Grundschaltung, Aussteuerung, Leistungsbilanz.- 5.1.3 Dynamisches Verhalten der Grundverstärkerstufe in Emitterschaltung.- 5.1.4 Sta
Autorenportrait
InhaltsangabeVerwendete Symbole.- 1 Verhalten passiver Bauelemente bei hohen Frequenzen.- 1.1 Einfuhrung.- 1.1.1 Konzentrierte Schaltelemente (Elementarzweipole).- 1.1.2 Das ideale, passive Bauelement.- 1.1.2.1 Eigenschaften des ohmschen Elementarzweipoles.- 1.1.2.2 Eigenschaften des induktiven Elementarzweipoles.- 1.1.2.3 Eigenschaften des kapazitiven Elementarzweipoles.- 1.1.2.4 Eigenschaften idealer Stromversorgungen.- 1.1.3 Reale, passive Bauelemente.- 1.2 Eigenschaften realer, passiver Bauelemente.- 1.2.1 Ohmsche Widerstände.- 1.2.1.1 Rauschen ohmscher Widerstände.- 1.2.1.2 Der Skineffekt (auch Hauteffekt genannt).- 1.2.1.3 Ersatzschaltbilder und Eigenschaften von ohmschen Widerständen bei hohen Frequenzen.- 1.2.2 Kondensatoren.- 1.2.2.1 Der ideale, kapazitive Widerstand.- 1.2.2.2 Der reale, kapazitive Widerstand (verlustbehaftet).- 1.2.2.3 Kondensatoren und ihre Einsatzbereiche.- 1.2.3 Spulen (Induktivitäten).- 1.2.3.1 Der ideale, induktive Widerstand.- 1.2.3.2 Der reale, induktive Widerstand (verlustbehaftet).- 1.3 Einige Bemerkungen zur SMD-Technik.- 1.4 Übungen.- 2 Passive Eintore (Zweipolnetzwerke).- 2.1 Einleitung.- 2.2 Einkreisige LC - Filter.- 2.2.1 Der Reihenschwingkreis.- 2.2.1.1 Grundformeln.- 2.2.1.2 Bestimmung der Bandbreite des Schwingkreises.- 2.2.1.3 Berechnung der Spannungen an den Schaltelementen.- 2.2.1.4 Anschluß von Generator und Last an den Reihenschwingkreis.- 2.2.1.5 Berechnung der Pol-Nullstellenverteilung.- 2.2.2 Der Parallelschwingkreis.- 2.2.2.1 Grundformeln.- 2.2.2.2 Berechnung der Ströme in den einzelnen Schaltelementen.- 2.2.2.3. Anschluß von Generator und Last an den Parallelschwingkreis.- 2.2.2.4 Berechnung der Pol-Nullstellenverteilung.- 2.3 Zusammenfassung Schwingkreise.- 2.4 Übungen.- 3 Zweitore (Vierpole).- 3.1 Vierpolparameter.- 3.1.1 Hybridparameter oder h-Parameter.- 3.1.2 Leitwertparameter oder y-Parameter.- 3.1.3 Streuparameter oder s-Parameter.- 3.2 Vierpolbetriebsgrößen.- 3.2.1 Allgemeingültige Festlegungen.- 3.2.2 Berechnung der Vierpolbetriebsgrößen mittels h-Parameter.- 3.2.3 Berechnung der Vierpolbetriebsgrößen mittels y-Parameter.- 3.2.4 Berechnung der Verstärkung mittels s-Parameter.- 3.3 Die Übertragungsfunktion.- 3.4 Selektive Netzwerke.- 3.4.1 Tiefpässe (TP).- 3.4.1.1 TP-1. Grades, unbelastet (1 Blindelement).- 3.4.1.4 TP-2. Grades, unbelastet, nicht entkoppelt (2 Blindelemente).- 3.4.1.3 TP-2. Grades, unbelastet, entkoppelt (2 Blindelemente).- 3.4.1.4 Bestimmung der Flankensteilheit der drei Varianten.- 3.4.2 Hochpässe (HP).- 3.4.2.1 HP-1. Grades, unbelastet (1 Blindelement).- 3.4.2.2 HP-2. Grades, unbelastet, entkoppelt (2 Blindelemente).- 3.4.3 Verallgemeinerung auf unbelastete, entkoppelte Filter n. Grades.- 3.4.4 Bandpässe.- 3.4.4.1 Der RLC-Bandpaß.- 3.4.4.2 Der RC-Bandpaß (Wien-Glied).- 3.4.5 Bandsperren.- 3.4.5.1 Die RLC-Bandsperre.- 3.4.6 Das zweikreisige Bandfilter.- 3.4.6.1 Ermittlung des normierten Amplituden-Frequenzgangs.- 3.4.6.2 Bestimmung der Welligkeit.- 3.4.6.3 Bestimmung der Bandbreite als Funktion der normierten Kopplung.- 3.4.6.4 Normierung der Bandbreite des Bandfilters auf die der Einzelkreise.- 3.5 Phasenlaufzeit und Gruppenlaufzeit von Vierpolen.- 3.6 Übungen.- 4 Leitungsanpassung.- 4.1 Breitbandige Impedanzanpassung mit Widerstandsnetzwerken aus ohmschen Widerständen.- 4.1.1 Widerstandszuschaltung.- 4.1.2 L-Glied-Schaltungen (ZG Zv).- 4.1.4 T-Glied-Schaltungen.- 4.1.5 p-Glied-Schaltungen.- 4.2 Schmalbandtransformatoren.- 4.2.1 Collinsfilter.- 4.2.2 Resonanztransformator anderer Bauform.- 4.3 Breitbandtransformatoren.- 4.3.1 50?-Technik.- 4.3.2 Übertrager.- 4.3.2.1 Der Impulsübertrager.- 4.3.2.2 Der Ringkerntransformator.- 4.4 Übungen.- 5Kleinsignalverhalten von Transistoren in Emitterschaltung.- 5.1 NF-Anwendungen (h-Parameter).- 5.1.1 Kennlinienfeld in Emitterschaltung.- 5.1.2 Statische Grundschaltung, Aussteuerung, Leistungsbilanz.- 5.1.3 Dynamisches Verhalten der Grundverstärkerstufe in Emitterschaltung.- 5.1.4 Sta
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